FGB20N60SFD(ON) - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情:
製造商產品型號:FGB20N60SFD製造商:ON Semiconductor描述:IGBT 600V 40A 208W D2PAK系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:最後搶購IGBT類型:場截止電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):40A電流-集電極脈衝(Icm):60A不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,20A功率-最大值:208W開關能量:370µJ(開),160µJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:65nC25°C時Td(開/關)值:13ns/90ns測試條件:400V,20A,10 歐姆,15V反向恢復時間(trr):34ns工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB南皇電子自營直供,FGB20N60SFD均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
FGB20N60SFD(制造商:ON),技術規格IGBT 600V 40A 208W D2PAK 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單