FDM606P（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：FDM606P製造商：ON Semiconductor描述：MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：PowerTrench®零件狀態：停產FET類型：P 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：20V25°C時電流-連續漏極(Id)：6.8A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：30 毫歐 @ 6.8A，4.5V不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：30nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.92W（Ta）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：8-MLP，MicroFET（3x2）南皇電子自營直供，FDM606P均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
FDM606P（制造商：ON），技術規格MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
