AFGY120T65SPD（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：AFGY120T65SPD製造商：ON Semiconductor描述：IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：Automotive, AEC-Q101零件狀態：有源IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：160A電流-集電極脈衝(Icm)：360A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，120A功率-最大值：714W開關能量：6.6mJ（開），3.8mJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：125nC25°C時Td（開/關）值：40ns/80ns測試條件：400V，120A，5 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：107ns工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-247-3南皇電子自營直供，AFGY120T65SPD均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
AFGY120T65SPD（制造商：ON），技術規格IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
