AFGY100T65SPD（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：AFGY100T65SPD製造商：ON Semiconductor描述：IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：Automotive, AEC-Q101零件狀態：有源IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：120A電流-集電極脈衝(Icm)：300A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，100A功率-最大值：660W開關能量：5.1mJ（開），2.7mJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：109nC25°C時Td（開/關）值：36ns/78ns測試條件：400V，100A，5 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：105ns工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-247-3南皇電子自營直供，AFGY100T65SPD均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
AFGY100T65SPD（制造商：ON），技術規格IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
