PSMN1R3-30YL（Nexperia） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Nexperia公司器件型號：PSMN1R3-30YL,115製造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離功能總體描述：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK所屬類別：FET，MOSFET - 單-電晶體系列：-零件狀態：在售FET 類型：N 溝道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源極電壓（Vdss）：30V電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.15V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：100nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：6227pF @ 12VVgs（最大值）：±20VFET 功能：-功率耗散（最大值）：121W（Tc）不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.3 毫歐 @ 15A，10V工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝Nexperia公司標準封裝：LFPAK56，Power-SO8封裝形式：SOT-1023，4-LFPAKPSMN1R3-30YL的標準包裝數量(SPQ)：1500 PCS南皇電子自營直供，PSMN1R3-30YL均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
PSMN1R3-30YL（制造商：Nexperia），技術規格MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK FET，MOSFET - 單-電晶體
