PMZB370UNE（Nexperia） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Nexperia公司器件型號：PMZB370UNE,315製造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離功能總體描述：MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3所屬類別：FET，MOSFET - 單-電晶體系列：-零件狀態：在售FET 類型：N 溝道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源極電壓（Vdss）：30V電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：900mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.05V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：1.16nC @ 15V不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：78pF @ 25VVgs（最大值）：±8VFET 功能：-功率耗散（最大值）：360mW（Ta），2.7W（Tc）不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：490 毫歐 @ 500mA，4.5V工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝Nexperia公司標準封裝：3-DFN1006B（0.6x1）封裝形式：3-XFDFNPMZB370UNE的標準包裝數量(SPQ)：10000 PCS南皇電子自營直供，PMZB370UNE均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
PMZB370UNE（制造商：Nexperia），技術規格MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3 FET，MOSFET - 單-電晶體
