PMXB350UPE（Nexperia） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Nexperia公司器件型號：PMXB350UPE製造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離功能總體描述：MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN所屬類別：FET，MOSFET - 單-電晶體系列：-零件狀態：在售FET 類型：P 溝道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源極電壓（Vdss）：20V電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：1.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：2.3nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：116pF @ 10VVgs（最大值）：±8VFET 功能：-功率耗散（最大值）：360mW（Ta），5.68W（Tc）不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：447 毫歐 @ 1.2A，4.5V工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝Nexperia公司標準封裝：DFN1010D-3封裝形式：3-XDFNPMXB350UPE的標準包裝數量(SPQ)：5000 PCS南皇電子自營直供，PMXB350UPE均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
PMXB350UPE（制造商：Nexperia），技術規格MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN FET，MOSFET - 單-電晶體
