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PHKD3NQ10T(Nexperia) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
PHKD3NQ10T圖片
基本資料:
  • 零件型號:PHKD3NQ10T
  • 制造廠商:Nexperia
  • 技術規格:MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
  • 功能類別:FET,MOSFET - 陣列-電晶體
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  • 技術參數詳情:
  • Nexperia公司器件型號:PHKD3NQ10T,518
  • 製造商:Nexperia USA Inc.(安世半導體)-2017年從NXP分離
  • 功能總體描述:MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
  • 所屬類別:FET,MOSFET - 陣列-電晶體
  • 系列:TrenchMOS??
  • 零件狀態:在售
  • FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓(Vdss):100V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A
  • 不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):90 毫歐 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):21nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):633pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝形式:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • Nexperia公司標準封裝:8-SO
  • PHKD3NQ10T的標準包裝數量(SPQ):10000 PCS
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