PHB18NQ10T（Nexperia） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Nexperia公司器件型號：PHB18NQ10T,118製造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離功能總體描述：MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK所屬類別：FET，MOSFET - 單-電晶體系列：TrenchMOS??零件狀態：在售FET 類型：N 溝道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源極電壓（Vdss）：100V電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：18A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：21nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：633pF @ 25VVgs（最大值）：-FET 功能：-功率耗散（最大值）：79W（Tc）不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 9A，10V工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝Nexperia公司標準封裝：D2PAK封裝形式：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263ABPHB18NQ10T的標準包裝數量(SPQ)：4800 PCS南皇電子自營直供，PHB18NQ10T均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
PHB18NQ10T（制造商：Nexperia），技術規格MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK FET，MOSFET - 單-電晶體
