PDTD113ET（Nexperia） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Nexperia公司器件型號：PDTD113ET,215製造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離功能總體描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB所屬類別：雙極 (BJT) - 單，預偏置-電晶體系列：-零件狀態：在售電晶體類型：NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）：500mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V電阻器 - 基底（R1）（歐姆）：1k電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）：1k不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：33 @ 50mA，5V不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA電流 - 集電極截止（最大值）：500nA頻率 - 躍遷：-功率 - 最大值：250mW安裝類型：表面貼裝封裝形式：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3Nexperia公司標準封裝：TO-236AB（SOT23）PDTD113ET的標準包裝數量(SPQ)：3000 PCS南皇電子自營直供，PDTD113ET均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
PDTD113ET（制造商：Nexperia），技術規格TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 雙極 (BJT) - 單，預偏置-電晶體
