PDTA115EMB（Nexperia） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Nexperia公司器件型號：PDTA115EMB,315製造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離功能總體描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN所屬類別：雙極 (BJT) - 單，預偏置-電晶體系列：-零件狀態：在售電晶體類型：PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）：20mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V電阻器 - 基底（R1）（歐姆）：100k電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）：100k不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：80 @ 5mA，5V不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）：150mV @ 250μA，5mA電流 - 集電極截止（最大值）：1μA頻率 - 躍遷：180MHz功率 - 最大值：250mW安裝類型：表面貼裝封裝形式：3-XFDFNNexperia公司標準封裝：3-DFN1006B（0.6x1）PDTA115EMB的標準包裝數量(SPQ)：10000 PCS南皇電子自營直供，PDTA115EMB均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
PDTA115EMB（制造商：Nexperia），技術規格TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 雙極 (BJT) - 單，預偏置-電晶體
