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PMGD280UN,115(NXP) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
PMGD280UN,115圖片
基本資料:
  • 零件型號:PMGD280UN,115
  • 制造廠商:NXP
  • 技術規格:MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
  • 功能類別:場效應管陣列
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  • 技術參數詳情:
  • NXP恩智浦完整型號:PMGD280UN,115
  • 製造廠家名稱:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
  • 系列:TrenchMOS
  • FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):870mA
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):340 毫歐 @ 200mA,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):0.89nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):45pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:400mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應商器件封裝:6-TSSOP
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  • PMGD280UN,115(制造商:NXP),技術規格MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP 場效應管陣列
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