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    PMDT670UPE,115（NXP） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    PMDT670UPE,115圖片
    基本資料：
  • 零件型號：PMDT670UPE,115
  • 制造廠商：NXP
  • 技術規格：MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
  • 功能類別：場效應管陣列
  • 點擊此處下載PMDT670UPE,115的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • NXP恩智浦完整型號：PMDT670UPE,115
  • 製造廠家名稱：NXP Semiconductors
  • 描述：MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
  • 系列：-
  • FET 類型：2 個 P 溝道（雙）
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：20V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：550mA
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：850 毫歐 @ 400mA，4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.14nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：87pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：330mW
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
  • 供應商器件封裝：SOT-666
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    PMDT670UPE,115（制造商：NXP），技術規格MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 場效應管陣列
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