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PMDT670UPE,115全球貨源,采購無憂
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PMDT670UPE,115(NXP) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
PMDT670UPE,115圖片
基本資料:
  • 零件型號:PMDT670UPE,115
  • 制造廠商:NXP
  • 技術規格:MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
  • 功能類別:場效應管陣列
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  • 技術參數詳情:
  • NXP恩智浦完整型號:PMDT670UPE,115
  • 製造廠家名稱:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
  • 系列:-
  • FET 類型:2 個 P 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):550mA
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):850 毫歐 @ 400mA,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1.14nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):87pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:330mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
  • 供應商器件封裝:SOT-666
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  • PMDT670UPE,115(制造商:NXP),技術規格MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 場效應管陣列
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