PHN210T,118（NXP） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
NXP恩智浦完整型號：PHN210T,118製造廠家名稱：NXP Semiconductors描述：MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC系列：TrenchMOSFET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：-不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 2.2A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：250pF @ 20V功率 - 最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SO南皇電子自營直供，PHN210T,118均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
PHN210T,118（制造商：NXP），技術規格MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC 場效應管陣列
