PHD18NQ10T,118（NXP） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：PHD18NQ10T,118製造商：NXP USA Inc.描述：MOSFET N-CH 100V 18A DPAK系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：TrenchMOS™零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：100V25°C時電流-連續漏極(Id)：18A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：90 毫歐 @ 9A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：21nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：633pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：79W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：DPAK南皇電子自營直供，PHD18NQ10T,118均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
PHD18NQ10T,118（制造商：NXP），技術規格MOSFET N-CH 100V 18A DPAK 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
