PEMB18,115（NXP） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
NXP恩智浦完整型號：PEMB18,115製造廠家名稱：NXP Semiconductors描述：TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666系列：-電晶體類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：4.7k電阻器 - 發射極基底 (R2) (Ω)：10k不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 10mA，5V不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）：150mV @ 500µA，10mA電流 - 集電極截止（最大值）：1µA頻率 - 躍遷：-功率 - 最大值：300mW安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：SOT-563，SOT-666供應商器件封裝：SOT-666南皇電子自營直供，PEMB18,115均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
PEMB18,115（制造商：NXP），技術規格TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 陣列﹐預偏壓式電晶體
