PDTB113ZT,215（NXP） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
NXP恩智浦完整型號：PDTB113ZT,215製造廠家名稱：NXP Semiconductors描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB系列：-電晶體類型：PNP - 預偏壓電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：500mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：1k電阻器 - 發射極基底 (R2) (Ω)：10k不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 50mA，5V不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）頻率 - 躍遷：-功率 - 最大值：250mW安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：SOT-23 (TO-236AB)南皇電子自營直供，PDTB113ZT,215均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
PDTB113ZT,215（制造商：NXP），技術規格TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 單路﹐預偏壓式電晶體
