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圖片信息

BLP05H6350XRY圖片

基本資料：

零件型號：BLP05H6350XRY

制造廠商：NXP

技術規格：POWER LDMOS TRANSISTOR

功能類別：RF FET

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技術參數詳情：

NXP恩智浦完整型號: BLP05H6350XRY

製造廠家名稱: NXP Semiconductors

功能總體簡述: POWER LDMOS TRANSISTOR

系列: -

電晶體類型: LDMOS（雙），共源

電壓 - 集射極擊穿（最大值）: -

頻率: 108MHz

增益: 27dB

頻率 - 躍遷: -

雜訊係數（dB，不同 f 時的典型值）: -

電壓 - 測試: 50V

額定電流: -

功率 - 最大值: -

雜訊係數: -

不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: -

電流 - 測試: 100mA

功率 - 輸出: 350W

電流 - 集電極（Ic）（最大值）: -

安裝類型: -

電壓 - 額定: 135V

封裝/外殼: SOT-1223-2

供應商器件封裝:

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BLP05H6350XRY（制造商：NXP），技術規格POWER LDMOS TRANSISTOR RF FET

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