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APT45GP120B2DQ2G(Microchip) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
APT45GP120B2DQ2G圖片
基本資料:
  • 零件型號:APT45GP120B2DQ2G
  • 制造廠商:Microchip
  • 技術規格:IGBT 1200V 113A 625W TMAX
  • 功能類別:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:APT45GP120B2DQ2G
  • 製造商:Microchip Technology
  • 描述:IGBT 1200V 113A 625W TMAX
  • 系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:POWER MOS 7®
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:PT
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):113A
  • 電流-集電極脈衝(Icm):170A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):3.9V @ 15V,45A
  • 功率-最大值:625W
  • 開關能量:900µJ(開),905µJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:185nC
  • 25°C時Td(開/關)值:18ns/100ns
  • 測試條件:600V,45A,5 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-247-3 變式
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