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    SPD08P06P G（Infineon） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    SPD08P06P G圖片
    基本資料：
  • 零件型號：SPD08P06P G
  • 制造廠商：Infineon
  • 技術規格：MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
  • 功能類別：單端場效應管
  • 點擊此處下載SPD08P06P G的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • Infineon英飛淩公司完整型號：SPD08P06P G
  • 製造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
  • 系列：SIPMOS
  • FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：60V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：8.83A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：300 毫歐 @ 6.2A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：13nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：420pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：42W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應商器件封裝：PG-TO252-3
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    SPD08P06P G（制造商：Infineon），技術規格MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252 單端場效應管
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