SPB08P06P G（Infineon） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Infineon英飛淩公司完整型號：SPB08P06P G製造廠家名稱：Infineon Technologies描述：MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263系列：SIPMOSFET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：8.8A（Ta）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：300 毫歐 @ 6.2A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：13nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：420pF @ 25V功率 - 最大值：42W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：PG-TO263-2南皇電子自營直供，SPB08P06P G均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SPB08P06P G（制造商：Infineon），技術規格MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 單端場效應管
