IPD65R600E6ATMA1（Infineon） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：IPD65R600E6ATMA1製造商：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：CoolMOS™ E6零件狀態：不適用於新設計FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650V25°C時電流-連續漏極(Id)：7.3A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：600 毫歐 @ 2.1A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 210µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：23nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：440pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：63W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PG-TO252-3南皇電子自營直供，IPD65R600E6ATMA1均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
IPD65R600E6ATMA1（制造商：Infineon），技術規格MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
