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    IPD60R650CEATMA1（Infineon） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    IPD60R650CEATMA1圖片
    基本資料：
  • 零件型號：IPD60R650CEATMA1
  • 制造廠商：Infineon
  • 技術規格：MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
  • 功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載IPD60R650CEATMA1的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：IPD60R650CEATMA1
  • 製造商：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
  • 系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：CoolMOS™ CE
  • 零件狀態：停產
  • FET類型：N 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：600V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：7A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：650 毫歐 @ 2.4A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 200µA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：20.5nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：440pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：63W（Tc）
  • 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：TO-252-3
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    IPD60R650CEATMA1（制造商：Infineon），技術規格MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
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