IPD053N06N（Infineon） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Infineon英飛淩公司完整型號：IPD053N06N製造廠家名稱：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3系列：OptiMOSFET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：18A（Ta），45A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5.3 毫歐 @ 45A, 10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 36µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：27nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2000pF @ 30V功率 - 最大值：3W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應商器件封裝：TO-252-3南皇電子自營直供，IPD053N06N均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
IPD053N06N（制造商：Infineon），技術規格MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3 單端場效應管
