IPB036N12N3 G（Infineon） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Infineon英飛淩公司完整型號：IPB036N12N3 G製造廠家名稱：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7系列：OptiMOSFET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：120V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：180A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.6 毫歐 @ 100A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：211nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：13800pF @ 60V功率 - 最大值：300W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB供應商器件封裝：PG-TO263-7南皇電子自營直供，IPB036N12N3 G均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
IPB036N12N3 G（制造商：Infineon），技術規格MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 單端場效應管
