IPB015N04N G（Infineon） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Infineon英飛淩公司完整型號：IPB015N04N G製造廠家名稱：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3系列：OptiMOSFET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：40V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：120A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.5 毫歐 @ 100A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：250nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：20000pF @ 20V功率 - 最大值：250W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：PG-TO263-2南皇電子自營直供，IPB015N04N G均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
IPB015N04N G（制造商：Infineon），技術規格MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 單端場效應管
