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    IMBG120R060M1HXTMA1（Infineon） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    IMBG120R060M1HXTMA1圖片
    基本資料：
  • 零件型號：IMBG120R060M1HXTMA1
  • 制造廠商：Infineon
  • 技術規格：TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263
  • 功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載IMBG120R060M1HXTMA1的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：IMBG120R060M1HXTMA1
  • 製造商：Infineon Technologies
  • 描述：TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263
  • 系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：CoolSiC™
  • 零件狀態：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術：SiC（碳化矽結晶體管）
  • 漏源電壓（Vdss）：1.2kV
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：36A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：83 毫歐 @ 13A，18V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 5.6mA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：34nC @ 18V
  • Vgs（最大值）：+18V，-15V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1.145nF @ 800V
  • FET功能：標準
  • 功率耗散（最大值）：181W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：PG-TO263-7-12
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    IMBG120R060M1HXTMA1（制造商：Infineon），技術規格TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
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