BSZ120P03NS3E G（Infineon） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Infineon英飛淩公司完整型號：BSZ120P03NS3E G製造廠家名稱：Infineon Technologies描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8系列：OptiMOSFET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：11A（Ta），40A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 20A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 73µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：45nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3360pF @ 15V功率 - 最大值：2.1W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：8-PowerTDFN供應商器件封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）南皇電子自營直供，BSZ120P03NS3E G均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
BSZ120P03NS3E G（制造商：Infineon），技術規格MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 單端場效應管
