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BSO207P H(Infineon) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
BSO207P H圖片
基本資料:
  • 零件型號:BSO207P H
  • 制造廠商:Infineon
  • 技術規格:MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8
  • 功能類別:場效應管陣列
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  • 技術參數詳情:
  • Infineon英飛淩公司完整型號:BSO207P H
  • 製造廠家名稱:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8
  • 系列:OptiMOS
  • FET 類型:2 個 P 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):5A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):45 毫歐 @ 5.7A,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 44µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):16nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1650pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.6W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商器件封裝:PG-DSO-8
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    BSO207P H(制造商:Infineon),技術規格MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8 場效應管陣列
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