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    BSG0813NDIATMA1（Infineon） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    BSG0813NDIATMA1圖片
    基本資料：
  • 零件型號：BSG0813NDIATMA1
  • 制造廠商：Infineon
  • 技術規格：MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
  • 功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載BSG0813NDIATMA1的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：BSG0813NDIATMA1
  • 製造商：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
  • 系列：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產品系列：-
  • 零件狀態：有源
  • FET類型：2 N 溝道（雙）非對稱型
  • FET功能：邏輯電平柵極，4.5V 驅動
  • 漏源電壓（Vdss）：25V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：19A，33A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：3 毫歐 @ 20A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：8.4nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 12V
  • 功率-最大值：2.5W
  • 工作溫度：-55°C ~ 155°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：8-PowerTDFN
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    BSG0813NDIATMA1（制造商：Infineon），技術規格MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8 電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
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