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    BSC750N10ND G（Infineon） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    BSC750N10ND G圖片
    基本資料：
  • 零件型號：BSC750N10ND G
  • 制造廠商：Infineon
  • 技術規格：MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
  • 功能類別：場效應管陣列
  • 點擊此處下載BSC750N10ND G的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • Infineon英飛淩公司完整型號：BSC750N10ND G
  • 製造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
  • 系列：OptiMOS
  • FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：100V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：13A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：75 毫歐 @ 13A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 12µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：720pF @ 50V
  • 功率 - 最大值：26W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：8-PowerVDFN
  • 供應商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
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    BSC750N10ND G（制造商：Infineon），技術規格MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON 場效應管陣列
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