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    VWM200-01P（IXYS） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    VWM200-01P圖片
    基本資料：
  • 零件型號：VWM200-01P
  • 制造廠商：IXYS
  • 技術規格：MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
  • 功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載VWM200-01P的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：VWM200-01P
  • 製造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）
  • 描述：MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
  • 系列：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產品系列：-
  • 零件狀態：停產
  • FET類型：6 N-溝道（3 相橋）
  • FET功能：標準
  • 漏源電壓（Vdss）：100V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：210A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：5.2 毫歐 @ 100A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 2mA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：430nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
  • 功率-最大值：-
  • 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：V2-PAK
  • 南皇電子自營直供，VWM200-01P均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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    VWM200-01P（制造商：IXYS），技術規格MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
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