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IXYH30N120C3D1(IXYS) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
IXYH30N120C3D1圖片
基本資料:
  • 零件型號:IXYH30N120C3D1
  • 制造廠商:IXYS
  • 技術規格:IGBT 1200V 66A 416W TO247
  • 功能類別:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:IXYH30N120C3D1
  • 製造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購)
  • 描述:IGBT 1200V 66A 416W TO247
  • 系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:GenX3™, XPT™
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):66A
  • 電流-集電極脈衝(Icm):133A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):3.3V @ 15V,30A
  • 功率-最大值:416W
  • 開關能量:2.6mJ(開),1.1mJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:69nC
  • 25°C時Td(開/關)值:19ns/130ns
  • 測試條件:600V,30A,10 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):195ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-247-3
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  • IXYH30N120C3D1(制造商:IXYS),技術規格IGBT 1200V 66A 416W TO247 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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