IXTD3N60P-2J（IXYS） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：IXTD3N60P-2J製造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）描述：MOSFET N-CH 600V 3A DIE系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：PolarHV™零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時電流-連續漏極(Id)：3A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2.9 歐姆 @ 1.5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 50µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：9.8nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：411pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：70W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：模具南皇電子自營直供，IXTD3N60P-2J均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
IXTD3N60P-2J（制造商：IXYS），技術規格MOSFET N-CH 600V 3A DIE 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
