IXTA1R6N100D2HV（IXYS） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：IXTA1R6N100D2HV製造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）描述：MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：-零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：1000V25°C時電流-連續漏極(Id)：1.6A（Tj）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：0V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：10 歐姆 @ 800mA，0V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：27nC @ 5VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：645pF @ 10VFET功能：耗盡模式功率耗散（最大值）：100W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：TO-263HV南皇電子自營直供，IXTA1R6N100D2HV均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
IXTA1R6N100D2HV（制造商：IXYS），技術規格MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
