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IXTA08N100P(IXYS) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
IXTA08N100P圖片
基本資料:
  • 零件型號:IXTA08N100P
  • 制造廠商:IXYS
  • 技術規格:MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
  • 功能類別:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載IXTA08N100P的原廠技術規格書(PDF文件)
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:IXTA08N100P
  • 製造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購)
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
  • 系列:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:Polar™
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):1000V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):800mA(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):20 歐姆 @ 500mA,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 50µA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):11.3nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):240pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):42W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:TO-263(IXTA)
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  • IXTA08N100P(制造商:IXYS),技術規格MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263 電晶體 - FET,MOSFET - 單個
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