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IXGT30N60B2(IXYS) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
IXGT30N60B2圖片
基本資料:
  • 零件型號:IXGT30N60B2
  • 制造廠商:IXYS
  • 技術規格:IGBT 600V 70A 190W TO268
  • 功能類別:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載IXGT30N60B2的原廠技術規格書(PDF文件)
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:IXGT30N60B2
  • 製造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購)
  • 描述:IGBT 600V 70A 190W TO268
  • 系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:HiPerFAST™
  • 零件狀態:停產
  • IGBT類型:PT
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):70A
  • 電流-集電極脈衝(Icm):150A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,24A
  • 功率-最大值:190W
  • 開關能量:320µJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:66nC
  • 25°C時Td(開/關)值:13ns/110ns
  • 測試條件:400V,24A,5 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-268-3,D³Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
  • 南皇電子自營直供,IXGT30N60B2均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
  • IXGT30N60B2(制造商:IXYS),技術規格IGBT 600V 70A 190W TO268 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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