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    IXGQ20N120BD1（IXYS） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    IXGQ20N120BD1圖片
    基本資料：
  • 零件型號：IXGQ20N120BD1
  • 制造廠商：IXYS
  • 技術規格：IGBT 1200V 40A 190W TO3P
  • 功能類別：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載IXGQ20N120BD1的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：IXGQ20N120BD1
  • 製造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）
  • 描述：IGBT 1200V 40A 190W TO3P
  • 系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列：-
  • 零件狀態：有源
  • IGBT類型：-
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：40A
  • 電流-集電極脈衝(Icm)：100A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：3.4V @ 15V，20A
  • 功率-最大值：190W
  • 開關能量：2.1mJ（關）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：62nC
  • 25°C時Td（開/關）值：20ns/270ns
  • 測試條件：960V，20A，10 歐姆，15V
  • 反向恢復時間(trr)：40ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
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    IXGQ20N120BD1（制造商：IXYS），技術規格IGBT 1200V 40A 190W TO3P 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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