IXFT12N100Q（IXYS） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：IXFT12N100Q製造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）描述：MOSFET N-CH 1000V 12A TO268系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：HiPerFET™零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：1000V25°C時電流-連續漏極(Id)：12A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.05 歐姆 @ 6A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 4mA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：90nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2900pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：300W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：TO-268南皇電子自營直供，IXFT12N100Q均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
IXFT12N100Q（制造商：IXYS），技術規格MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
