IXFN26N90全球貨源,采購無憂
多年專註,初心從未改變,千萬級電子元器件現貨庫存
IXFN26N90(IXYS) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
基本資料:
技術參數詳情:
製造廠家名稱:IXYS
描述:MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
系列:HiPerFET
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):900V
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):26A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):300 毫歐 @ 13A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):240nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):10800pF @ 25V
功率 - 最大值:600W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商器件封裝:SOT-227B
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IXFN26N90(制造商:IXYS),技術規格MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B 場效應管模組