FII30-12E（IXYS） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：FII30-12E製造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）描述：IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5系列：電晶體 - IGBT - 陣列零件狀態：停產IGBT類型：NPT配置：半橋電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V電流-集電極(Ic)（最大值）：33A功率-最大值：150W不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，20A電流-集電極截止（最大值）：200µA不同 Vce時輸入電容(Cies)：1.2nF @ 25V輸入：標準NTC熱敏電阻：無工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：i4-Pac™-5南皇電子自營直供，FII30-12E均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
FII30-12E（制造商：IXYS），技術規格IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5 電晶體 - IGBT - 陣列
