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IRFHM8363TRPBF(IR) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
IRFHM8363TRPBF圖片
基本資料:
  • 零件型號:IRFHM8363TRPBF
  • 制造廠商:IR
  • 技術規格:MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
  • 功能類別:場效應管陣列
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:IRFHM8363TRPBF
  • 製造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛淩INFINEON收購
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):11A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):14.9 毫歐 @ 10A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1165pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:2.7W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:8-PowerVDFN
  • 供應商器件封裝:8-PQFN(3.3x3.3), Power33
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    IRFHM8363TRPBF(制造商:IR),技術規格MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN 場效應管陣列
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