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IRFHE4250DTRPBF(IR) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
IRFHE4250DTRPBF圖片
基本資料:
  • 零件型號:IRFHE4250DTRPBF
  • 制造廠商:IR
  • 技術規格:MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
  • 功能類別:場效應管陣列
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:IRFHE4250DTRPBF
  • 製造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛淩INFINEON收購
  • 描述:MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
  • 系列:FASTIRFET
  • FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):25V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):86A,303A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.75 毫歐 @ 27A, 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 35µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):20nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1735pF @ 13V
  • 功率 - 最大值:156W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:32-PowerWFQFN
  • 供應商器件封裝:32-PQFN (6x6)
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    IRFHE4250DTRPBF(制造商:IR),技術規格MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN 場效應管陣列
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