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IRFH5220TR2PBF(IR) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
IRFH5220TR2PBF圖片
基本資料:
  • 零件型號:IRFH5220TR2PBF
  • 制造廠商:IR
  • 技術規格:MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
  • 功能類別:單端場效應管
  • 點擊此處下載IRFH5220TR2PBF的原廠技術規格書(PDF文件)
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:IRFH5220TR2PBF
  • 製造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛淩INFINEON收購
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):200V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):3.8A(Ta),20A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):99.9 毫歐 @ 5.8A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):30nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1380pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:3.6W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:8-VQFN 裸露焊盤
  • 供應商器件封裝:PQFN(5x6)
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