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IRF8113TR(IR) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
IRF8113TR圖片
基本資料:
  • 零件型號:IRF8113TR
  • 制造廠商:IR
  • 技術規格:MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
  • 功能類別:單端場效應管
  • 點擊此處下載IRF8113TR的原廠技術規格書(PDF文件)
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:IRF8113TR
  • 製造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛淩INFINEON收購
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):17.2A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):5.6 毫歐 @ 17.2A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):36nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2910pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:2.5W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商器件封裝:8-SO
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    IRF8113TR(制造商:IR),技術規格MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC 單端場效應管
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