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IRF7379TR(IR) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
IRF7379TR圖片
基本資料:
  • 零件型號:IRF7379TR
  • 制造廠商:IR
  • 技術規格:MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC
  • 功能類別:場效應管陣列
  • 點擊此處下載IRF7379TR的原廠技術規格書(PDF文件)
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:IRF7379TR
  • 製造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛淩INFINEON收購
  • 描述:MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:N 和 P 溝道
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):5.8A,4.3A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):45 毫歐 @ 5.8A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):520pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2.5W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商器件封裝:8-SO
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    IRF7379TR(制造商:IR),技術規格MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC 場效應管陣列
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