GA10SICP12-263（GeneSiC）-南皇電子|電子元器件代理

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GA10SICP12-263（GeneSiC） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：GA10SICP12-263

制造廠商：GeneSiC

技術規格：TRANS SJT 1200V 25A D2PAK

功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳情：

製造商產品型號：GA10SICP12-263

製造商：GeneSiC Semiconductor

描述：TRANS SJT 1200V 25A D2PAK

系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態：有源

FET類型：-

技術：SiC（碳化矽結晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1200V

25°C時電流-連續漏極(Id)：25A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 10A

不同Id時Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1403pF @ 800V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：170W（Tc）

工作溫度：175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：D2PAK（7-Lead）

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電晶體 - FET，MOSFET - 單個

GA10SICP12-263（制造商：GeneSiC），技術規格TRANS SJT 1200V 25A D2PAK 電晶體 - FET，MOSFET - 單個