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FQD20N06LETM(Fairchild) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
FQD20N06LETM圖片
基本資料:
  • 零件型號:FQD20N06LETM
  • 制造廠商:Fairchild
  • 技術規格:MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
  • 功能類別:單端場效應管
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:FQD20N06LETM
  • 製造廠家名稱:Fairchild 仙童半導體(已被ON安森美收購)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
  • 系列:QFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):60V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):17.2A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):60 毫歐 @ 8.6A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):13nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):665pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2.5W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應商器件封裝:D-Pak
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    FQD20N06LETM(制造商:Fairchild),技術規格MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK 單端場效應管
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