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FQB4N80TM(Fairchild) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
FQB4N80TM圖片
基本資料:
  • 零件型號:FQB4N80TM
  • 制造廠商:Fairchild
  • 技術規格:MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
  • 功能類別:單端場效應管
  • 點擊此處下載FQB4N80TM的原廠技術規格書(PDF文件)
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:FQB4N80TM
  • 製造廠家名稱:Fairchild 仙童半導體(已被ON安森美收購)
  • 描述:MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
  • 系列:QFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):800V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):3.9A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.6 歐姆 @ 1.95A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):880pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:3.13W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商器件封裝:TO-263-2
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