ZXMN2A04DN8TC（Diodes）-南皇電子|電子元器件代理

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ZXMN2A04DN8TC（Diodes） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：ZXMN2A04DN8TC

制造廠商：Diodes

技術規格：MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳情：

製造商產品型號：ZXMN2A04DN8TC

製造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

系列：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：-

零件狀態：停產

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續漏極(Id)：5.9A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：25 毫歐 @ 5.9A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250µA（最小）

不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：22.1nC @ 5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1880pF @ 10V

功率-最大值：1.8W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

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ZXMN2A04DN8TC（制造商：Diodes），技術規格MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC 電晶體 - FET，MOSFET - 陣列

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